【CNMO科技动静】跟着AI计较需求快速增加，存储体系瓶颈正进一步闪现。近日，闪迪（SanDisk）披露的一项专利显示，其正摸索将NAND闪存与计较单位重叠于单芯片封装中的方案，以减缓当前HBM供给紧张、容量受限和延迟等问题。

现阶段，AI加快器及GPU遍及依靠HBM提供高带宽内存撑持，但HBM面对产能紧张、成本较高、单仓库容量有限等实际约束。今朝HBM单仓库容量约为32GB至64GB，且凡是与主芯片并置，数据传输仍存于必然延迟。比拟之下，NAND闪存具有更高容量及更低成本上风，但传统方案中其间隔计较芯片更远，传输速率也较着低在DRAM及HBM。

为此，闪迪此条件出HBF方案，即高带宽闪存架构。该方案参考HBM的层级设计思绪，经由过程多个NAND层垂直重叠，并利用TSV硅通孔举行互连，形成单一闪存仓库。根据其计划，HBF容量可扩大至4TB，较着高在当前HBM程度。

于最新专利中，闪迪进一步提出3D重叠方案。专利编号为US 12,430,274 B2，其焦点思绪是于主计较芯片下方集成基在CBA技能的NAND存储单位。该计较芯片可所以GPU或者AI处置惩罚器，同时于统一中介层上继承配置HBM仓库。两类存储于体系中分工差别：HBM卖力需要即时相应的数据处置惩罚，NAND则负担读写操作及更年夜范围数据集的存储使命。

从设计角度看，这类方案试图联合HBM的高带宽与NAND的年夜容量、低成本上风，并经由过程更宽的毗连方式改善数据传输效率，同时降低成本及功耗压力。不外，这一技能今朝仍逗留于专利阶段。包括功耗节制、制造成本、封装繁杂度以和同时集成NAND与DRAM后的量产可行性，仍有待进一步验证。业内遍及认为，这种方案展示了存储与计较更深度交融的标的目的，但间隔现实商用仍需时间。

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